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型号 SI1029X-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
SI1029X-T1-GE3 PDF
代理商 SI1029X-T1-GE3
产品目录绘图 X-T1-E3 Series SOT-563
标准包装 1
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 305mA，190mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 1.4 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
功率 - 最大 250mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
供应商设备封装 SC-89-6
包装 标准包装
产品目录页面 1666 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI1029X-T1-GE3DKR
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